Creep Crack Growth in Polypropylene Film with Various Crack Lengths at Diverse Stresses and Temperatures

Creep crack growth rates were measured using centrally cracked tension specimens of thin polypropylene film with different crack lengths at various stresses and temperatures. The creep crack growth rates were correlated with the stress intensity factor. There was the region of the minimum constant crack growth rate which occupied more than 70% of the total creep failure life. This constant creep crack growth rate characteristics were analyzed on the basis of the stress-dependent Arrhenius type thermally activated process.     

掺铝氧化锌(AZO)导电薄膜的研究进展

综述透明导电薄膜的性能、种类、制备工艺、研究及应用状况,重点讨论掺铝氧化锌(AZO)薄膜的结构、导电机理、光电性能和当前的研究焦点。并指出,为了进一步提高透明导电薄膜的性能,应从以材料选择、制备工艺、多层膜光学设计等方面深入研发,以满足尖端技术的需要。     

溶液温度对电化学沉积氧化亚铜薄膜相成分和显微结构的影响

用电化学方法在不锈钢基体上沉积多晶Ｃｕ２Ｏ薄膜并用Ｘ射线衍射和扫描电进行了分析研究了溶液温度对薄膜相组成、晶粒尺寸和择优取向的影响，当溶液的ＰＨ＝９，温度低于５０℃时得到的是Ｃｕ２Ｏ／Ｃｕ复相薄膜，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜可在溶液温度高于５０℃时获得，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜具有（１００）择优取向，实验发现薄膜的晶粒尺寸随溶液温度的增加从０．１２μｍ增加到０．６５μｍ。     

4F0.06AC树脂吹塑薄膜技术的探讨

在加工应用试验的基础上。探讨了加工温度、吹胀比、超想线高度及设备对４Ｆ０．０６ＡＣ薄膜适宜的加工条件。     

热分解法制备钛酸铅镧薄膜及其电性能研究

本文研究了用金属有机物热发解法制备ＰＬＴ８薄膜的工艺过程和基片对薄膜结构的影响，并且给出了铁电性能的测量结果。     

LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究

采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。     

碲镉汞外延晶膜的不稳定性

利用变温和变磁场霍尔测试对在空气室温环境长期存放的碲镉汞液相处延晶膜作了定期的检测，结果表明，晶膜的电学性质随时间有明显的改变，本文采用非均匀晶膜的层状模型对晶膜的不稳定性作了详细的分析。     

同心球所夹空间电场的电像法求解

采用电像法分析研究了二同心导体球所夹空间的静电场分布。     

厚膜导体的金属迁移研究

金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法－水滴试验法，来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用引方法测量时，发现Ｐｄ－Ａｇ导体的迁移率最大，Ｐｔ－Ａｕ导体的金属迁移率最小。     

穿孔顶头表面氧化膜浅析

分析了穿孔顶头表面氧化膜的形成过程、性质、作用、界面行为，以及对顶头使用寿命的影响。指出了提高该氧化膜耐久性的途径。